Semiconductor နှင့် Chip လုပ်ငန်းတွင် Molecular Beam Epitaxy နှင့် Liquid Nitrogen Circulation System

Molecular Beam Epitaxy (MBE) အကျဉ်းချုပ်

Molecular Beam Epitaxy (MBE) ၏နည်းပညာကို 1950 ခုနှစ်များတွင် တီထွင်ခဲ့ပြီး လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်းနည်းပညာကို အသုံးပြု၍ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပါးလွှာသော ဖလင်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ခဲ့သည်။အလွန်မြင့်မားသော ဖုန်စုပ်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ နည်းပညာကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ သိပ္ပံနယ်ပယ်သို့ တိုးချဲ့ခဲ့သည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ပစ္စည်းများ သုတေသနပြုခြင်း၏ စေ့ဆော်မှုသည် စနစ်၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သော စက်ပစ္စည်းအသစ်များ၏ လိုအပ်ချက်ဖြစ်သည်။တစ်ဖန် ပစ္စည်းနည်းပညာအသစ်သည် စက်ကိရိယာအသစ်များနှင့် နည်းပညာအသစ်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။Molecular beam epitaxy (MBE) သည် epitaxial အလွှာ (များသောအားဖြင့် semiconductor) ကြီးထွားမှုအတွက် မြင့်မားသော လေဟာနယ်နည်းပညာဖြစ်သည်။၎င်းသည် တစ်ခုတည်းသော crystal substrate ကိုသက်ရောက်သော အရင်းအမြစ်အက်တမ် သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများ၏ အပူလှိုင်းကို အသုံးပြုသည်။လုပ်ငန်းစဉ်၏ အလွန်မြင့်မားသော လေဟာနယ်သွင်ပြင်လက္ခဏာများသည် အသစ်စိုက်ပျိုးထားသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာမျက်နှာပြင်များပေါ်ရှိ Insitu Metalization နှင့် Insulating Materials များကို ကြီးထွားစေပြီး လေထုညစ်ညမ်းမှုကင်းစင်သော မျက်နှာပြင်များကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။

သတင်း bg (4)
သတင်း bg (3)

MBE နည်းပညာ

မော်လီကျူး အလင်းတန်း epitaxy ကို မြင့်မားသော လေဟာနယ် သို့မဟုတ် အလွန်မြင့်မားသော လေဟာနယ်တွင် လုပ်ဆောင်ခဲ့သည် (1 x 10-8ပအိုဝ်း) ပတ်ဝန်းကျင်။မော်လီကျူး အလင်းတန်း epitaxy ၏ အရေးအကြီးဆုံး ရှုထောင့်မှာ ၎င်း၏ စုဆောင်းမှုနှုန်း နည်းပါးသည်၊ ၎င်းသည် များသောအားဖြင့် တစ်နာရီလျှင် 3000 nm ထက်နည်းသော ဖလင်ကို epitaxial ကြီးထွားစေရန် ခွင့်ပြုပေးသည်။ထိုသို့သော စုဆောင်းမှုနှုန်း နည်းပါးခြင်းသည် အခြားသော အစစ်ခံနည်းလမ်းများကဲ့သို့ သန့်ရှင်းမှုအဆင့်ကို ရရှိရန် လုံလောက်သော လေဟာနယ်တစ်ခု လိုအပ်ပါသည်။

အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော အလွန်မြင့်မားသောလေဟာနယ်ကိုပြည့်မီရန်အတွက် MBE စက် (Knudsen cell) တွင် အအေးခံအလွှာတစ်ခုရှိပြီး ကြီးထွားခန်း၏အလွန်မြင့်မားသောလေဟာနယ်ပတ်ဝန်းကျင်ကို နိုက်ထရိုဂျင်အရည်လည်ပတ်မှုစနစ်ဖြင့် ထိန်းသိမ်းထားရမည်ဖြစ်သည်။နိုက်ထရိုဂျင်အရည်သည် စက်၏အတွင်းပိုင်းအပူချိန်ကို 77 Kelvin (−196°C) အထိ အေးစေသည်။အပူချိန်နိမ့်သောပတ်ဝန်းကျင်သည် လေဟာနယ်အတွင်းရှိ အညစ်အကြေးများပါဝင်မှုကို ပိုမိုလျှော့ချနိုင်ပြီး ပါးလွှာသောဖလင်များစုပုံခြင်းအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သောအခြေအနေများကိုပေးစွမ်းနိုင်သည်။ထို့ကြောင့်၊ -196°C အရည် နိုက်ထရိုဂျင်ကို စဉ်ဆက်မပြတ် နှင့် တည်ငြိမ်စွာ ပံ့ပိုးပေးနိုင်ရန် MBE စက်များအတွက် အထူးသီးသန့် အရည် နိုက်ထရိုဂျင် အအေးပေးစနစ် လိုအပ်ပါသည်။

Liquid Nitrogen Cooling Circulation System ၊

ဖုန်စုပ်ရည် နိုက်ထရိုဂျင် အအေးပေးစနစ် အဓိကအားဖြင့် ပါဝင်ပြီး၊

● cryogenic တိုင်ကီ

● ပင်မနှင့် အကိုင်းအခက် လေဟာနယ်အကျီ ပိုက်/ လေဟာနယ် အကျီ င်္ရေပိုက်

● MBE အထူးအဆင့် ခွဲထွက်ကိရိယာနှင့် ဖုန်စုပ်အင်္ကျီအိတ်ဇောပိုက်

● အမျိုးမျိုးသော vacuum jacketed valves များ

● ဓာတ်ငွေ့-အရည် အတားအဆီး

● လေဟာနယ်အကျီ င်္ဇကာ

● တက်ကြွသော ဖုန်စုပ်ပန့်စနစ်

● ကြိုတင်အအေးခံခြင်းနှင့် ပြန်လည်အပူပေးခြင်းစနစ်

HL Cryogenic Equipment Company သည် MBE နည်းပညာအတွက် အထူး MBE အရည်နိုက်ထရိုဂျင် cooing စနစ်နှင့် vacuum insulation အစုံအလင်ကို အောင်မြင်စွာတီထွင်နိုင်စေရန် ဖွဲ့စည်းထားသော နည်းပညာဆိုင်ရာကျောရိုးဖြစ်သော MBE အရည်နိုက်ထရိုဂျင်အအေးပေးစနစ်၏ လိုအပ်ချက်ကို သတိပြုမိခဲ့သည်။edလုပ်ငန်းများစွာ၊ တက္ကသိုလ်များနှင့် သုတေသနအင်စတီကျုများတွင် အသုံးပြုခဲ့ကြသည့် ပိုက်စနစ်။

သတင်း bg (1)
သတင်း bg (2)

HL Cryogenic ပစ္စည်း

HL Cryogenic Equipment ကို 1992 ခုနှစ်တွင် စတင်တည်ထောင်ခဲ့ပြီး တရုတ်နိုင်ငံရှိ Chengdu Holy Cryogenic Equipment Company နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော အမှတ်တံဆိပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။HL Cryogenic Equipment သည် High Vacuum Insulated Cryogenic Piping System နှင့် ဆက်စပ်ပစ္စည်းပံ့ပိုးမှုဆိုင်ရာ စက်ပစ္စည်းများကို ဒီဇိုင်းနှင့်ထုတ်လုပ်ရန် ကတိပြုပါသည်။

ပိုမိုသိရှိလိုပါက၊ တရားဝင်ဝဘ်ဆိုဒ်တွင် ဝင်ရောက်ကြည့်ရှုပါ။www.hlcryo.comသို့ အီးမေးလ်ပို့ပါ။info@cdholy.com.


စာတိုက်အချိန်- မေ-၆-၂၀၂၁